Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT36VDDF25672Y-40BF3是一款由美光科技（Micron Technology）推出的高性能DDR SDRAM内存模块。该模块采用标准的184针RDIMM（Registered Dual In-line Memory Module）封装形式，其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术，通过在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，有效提升了数据传输带宽。模块内部集成了地址与控制信号的寄存器，这不仅增强了信号完整性，还允许系统支持更高密度的内存配置，为服务器和工作站级别的应用提供了稳定可靠的内存扩展基础。
该模块具备2GB的存储容量，运行速度为400MT/s（百万次传输/秒）。其Registered设计是关键特性之一，通过在内存模块上加入寄存器来缓冲地址和控制信号，减轻了内存控制器的电气负载，从而支持在单个通道上安装更多的内存模块，这对于需要大容量内存的企业级应用至关重要。同时，其工作电压符合DDR标准，在提供高性能的同时也兼顾了功耗管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的美光代理商获取原装正品和技术支持。
在接口与参数方面，MT36VDDF25672Y-40BF3严格遵循JEDEC标准规范，确保了与主流服务器平台的广泛兼容性。其184-RDIMM接口类型明确指向了服务器和工作站应用环境。模块的时序参数经过优化，以匹配400MT/s的数据速率，确保了在高速运行下的数据存取稳定性和准确性。这些电气和物理特性使其能够满足对数据吞吐量和系统稳定性有严苛要求的应用场景。
基于其高可靠性和大容量特性，MT36VDDF25672Y-40BF3主要面向企业级计算领域。它非常适合用于数据中心服务器、高性能工作站、金融交易系统以及需要处理大量并发任务和数据的网络设备。在这些场景中，内存子系统的稳定性和带宽直接影响到整体系统的性能和响应能力，该模块的Registered设计和高传输速率正好能够满足这些需求，为关键业务应用提供坚实的内存基础。
