美光 MT46H128M16LFDD-48 WT:C DDR SDRAM存储芯片 128Mx16位 2Gb容量 48-TFBGA封装

MT46H128M16LFDD-48 WT:C技术参数详情：

MT46H128M16LFDD-48 WT:C 是一款由美光科技（Micron Technology）推出的移动低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器。该芯片采用先进的LPDDR技术，其核心架构基于128M x 16的组织形式，提供了总计2Gb的存储容量。其内部采用并联接口，并集成在紧凑的60-VFBGA封装内，专为对空间和功耗有严格要求的嵌入式及移动应用而优化设计。

该器件在功能上实现了高性能与低功耗的平衡。其工作电压范围在1.7V至1.95V之间，显著降低了系统整体能耗。得益于移动LPDDR技术，它在208MHz的时钟频率下运行，能够提供高效的数据吞吐率。其访问时间仅为5ns，写周期时间（字，页）为14.4ns，确保了快速的数据读写响应，这对于需要实时处理数据的应用至关重要。其易失性存储特性要求持续的电力供应以保持数据，这是所有DRAM产品的共同特点。

在接口与关键参数方面，该芯片采用表面贴装型，便于高密度PCB板的设计与生产。其工作温度范围覆盖-25°C至85°C，保证了在宽温环境下的可靠性与稳定性。对于需要可靠供应链和本地化技术支持的客户，可以通过授权的美光代理商获取此产品及相关服务。这些技术参数共同构成了该芯片在苛刻环境下的耐用性基础。

基于其技术特性，MT46H128M16LFDD-48 WT:C非常适合应用于智能手机、平板电脑、便携式医疗设备、车载信息娱乐系统以及各类工业嵌入式控制系统。在这些场景中，它对空间、功耗和性能的综合要求能够得到充分满足，是构建下一代紧凑型、电池供电智能设备核心内存子系统的理想选择。