MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR

作为美光科技（Micron Technology）移动LPDDR SDRAM产品线中的一员，MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR采用先进的低功耗双倍数据率（LPDDR）架构，旨在为高性能、高带宽的移动和嵌入式应用提供核心存储解决方案。其内部组织为256M字深、32位宽，构成了总容量8Gb的存储阵列，这种宽接口设计显著提升了数据吞吐效率，尤其适合需要处理大量数据流的场景。芯片采用168引脚TFBGA封装，以表面贴装形式集成，在紧凑的物理空间内实现了高密度存储与可靠的电信号完整性。

该器件在功能上实现了高性能与低功耗的出色平衡。其核心工作电压范围为1.7V至1.95V，支持低电压操作以有效降低系统整体功耗，这对于电池供电设备至关重要。时钟频率高达208MHz，结合DDR技术，可实现等效416MT/s的数据传输速率。访问时间仅为5ns，写周期时间（字/页）为14.4ns，确保了快速的数据读写响应能力，能够满足实时性要求高的应用需求。其易失性存储特性要求配合内存控制器进行定时刷新以保持数据，这是标准DRAM架构的典型特征。

在接口与参数层面，MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR采用并行接口，32位数据总线宽度使其能够在一个时钟周期内传输大量数据，极大缓解了处理器与存储器之间的带宽瓶颈。其工作温度范围覆盖-25°C至85°C（环境温度），保证了在严苛工业环境或户外设备中的稳定运行。该器件以卷带（TR）形式供货，便于自动化贴装生产，提升制造效率。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的Micron代理商获取原装正品和技术支持。

基于其高带宽、低功耗和宽温工作的特点，该芯片非常适合应用于对性能和能效均有严苛要求的领域。典型应用场景包括高端移动计算平台（如平板电脑、智能手机）、车载信息娱乐系统与高级驾驶辅助系统（ADAS）、工业级网络设备、以及需要大量数据缓冲的视频处理与通信基础设施。它为设计工程师提供了一个能够应对复杂数据处理任务，同时兼顾系统续航和散热设计的可靠存储组件选择。

• 制造商产品型号：MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168TFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量：8Gb（256M x 32）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：208MHz
• 写周期时间-字，页：14.4ns
• 访问时间：5ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-25°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：168-TFBGA
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