MT46H256M32R4JV-5 WT:B

MT46H256M32R4JV-5 WT:B是一款由美光科技（Micron Technology）推出的移动低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器（Mobile LPDDR SDRAM）。该器件采用先进的工艺技术，核心架构基于256M x 32位的组织方式，实现了8Gb的总存储容量。其并联存储器接口与内部多Bank架构协同工作，支持高效的突发读写操作，能够在200MHz的时钟频率下稳定运行，有效数据速率达到400Mbps（因DDR特性）。

该芯片的功能特点突出体现在其低功耗与高性能的平衡上。其工作电压范围在1.7V至1.95V之间，专为对功耗敏感的应用场景优化设计。5ns的快速访问时间与15ns的字/页写周期时间确保了数据吞吐的高效性，能够满足实时系统的严苛时序要求。同时，它支持自动预充电和自刷新模式，在保持数据完整性的同时，进一步降低了系统在待机或低活动状态下的功耗。其表面贴装型的168-VFBGA封装形式，具有紧凑的物理尺寸，非常适合空间受限的嵌入式与移动设备。

在接口与关键参数方面，该器件采用并联接口，提供32位宽的数据总线，便于与主流应用处理器或微控制器直接连接。其工作温度范围覆盖-25°C至85°C，确保了在宽温环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过美光中国代理获取该产品的相关服务与资源。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时应考虑其生命周期状态。

MT46H256M32R4JV-5 WT:B典型的应用场景包括高性能的便携式消费电子设备、工业级移动计算平台、车载信息娱乐系统以及需要大容量缓存的专业通信设备。其大位宽、高带宽和低功耗的特性，使其能够胜任图形处理、多媒体数据缓冲和复杂算法运算等对内存性能要求较高的任务，是构建紧凑型高性能系统的关键存储组件之一。

• 制造商产品型号：MT46H256M32R4JV-5 WT:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量：8Gb（256M x 32）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：5ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-25°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：168-VFBGA
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