MT46H32M32LFB5-6 AT:B TR

MT46H32M32LFB5-6 AT:B TR 是一款由美光科技（Micron Technology）推出的移动低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器。该器件采用先进的1Gb存储密度架构，组织为32M字×32位，为核心处理单元提供了高带宽的数据交换通道。其内部基于双存储体设计，支持突发读写操作，能够有效提升数据吞吐效率，并通过预充电和自动刷新机制来维持数据的完整性。

在功能特性方面，该芯片集成了多项针对移动和嵌入式应用优化的技术。其工作电压范围设计为1.7V至1.95V，显著降低了系统整体功耗，非常适合电池供电设备。同时，它支持高达166MHz的时钟频率，配合LPDDR接口，能在每个时钟周期内传输两次数据，从而实现高效的数据流处理。访问时间仅为5ns，写周期时间（字、页）为15ns，确保了系统响应的实时性。其宽泛的工作温度范围（-40°C至105°C）也使其能够适应严苛的工业与环境条件。

该器件采用并联存储器接口，提供了与主控制器直接、高效连接的数据通路。物理封装为紧凑的90引脚VFBGA（Very Fine-Pitch Ball Grid Array），采用表面贴装形式，极大地节省了PCB空间，满足了现代电子设备小型化的需求。虽然该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能在特定存量市场和延续性项目中仍有应用价值。对于需要可靠供应的客户，可以通过专业的美光芯片代理渠道获取相关库存与技术支持。

从应用场景来看，MT46H32M32LFB5-6 AT:B TR主要面向对功耗、尺寸和可靠性有严格要求的领域。它常见于上一代或特定设计的移动通信设备、便携式医疗仪器、车载信息娱乐系统以及工业控制终端中，作为系统的主内存或缓存，负责运行程序和数据的高速暂存。其稳健的性能参数使其在需要持续数据交换和处理的中等性能嵌入式系统中扮演着关键角色。

• 制造商产品型号：MT46H32M32LFB5-6 AT:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量：1Gb（32M x 32）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：166MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：5ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：90-VFBGA
• 现在可以订购MT46H32M32LFB5-6 AT:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。