MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR

MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR是一款由美光科技（Micron Technology）推出的移动低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器（Mobile LPDDR SDRAM）。该器件采用先进的90nm工艺节点制造，封装于紧凑的90-VFBGA（Very Fine-Pitch Ball Grid Array）封装内，以表面贴装形式提供，其卷带（TR）包装形式适用于高速自动化贴装生产线。作为一款已进入停产状态的成熟产品，它依然在诸多存量及特定要求的嵌入式系统中扮演着关键角色。

该芯片的核心架构基于经典的同步DRAM设计，并针对移动和便携式设备的低功耗需求进行了深度优化。其内部组织为4M字×32位的结构，总计提供128Mbit的存储容量。通过并联接口与控制器连接，它在166MHz的时钟频率下工作，并利用DDR技术实现等效于333MHz的数据传输速率。其访问时间低至5ns，写周期时间（字、页）为15ns，确保了在数据密集型应用中的响应速度。电压供应范围在1.7V至1.95V之间，这显著低于传统SDRAM，是其实现低功耗运行的关键特性之一。同时，其宽泛的工作温度范围（-40°C至105°C）使其能够适应严苛的工业与车载环境。

在功能层面，这款LPDDR SDRAM集成了多项旨在降低功耗和提升系统效率的技术。它支持自动预充电和自刷新模式，能够有效管理存储阵列，在保持数据的同时最小化待机电流。其接口设计兼容标准的移动存储器协议，便于与主流应用处理器和微控制器集成。对于需要可靠存储解决方案的客户，通过专业的美光芯片代理可以获得稳定的供货渠道与技术支持。该芯片的典型应用场景广泛覆盖了上一代及部分当前仍在服役的嵌入式系统，包括但不限于工业控制设备、汽车信息娱乐系统、便携式医疗仪器以及通信基础设施中的辅助存储单元。其稳健的设计使其在需要长时间运行、对抗温度波动和追求能效比的领域持续发挥价值。

• 制造商产品型号：MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量：128Mb（4M x 32）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：166MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：5ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：90-VFBGA
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