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MT47H128M4B6-25:D TR

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MT47H128M4B6-25:D TR技术参数详情:

MT47H128M4B6-25:D TR是一款由美光科技(Micron Technology)推出的DDR2 SDRAM芯片,采用先进的DRAM技术构建。其核心架构基于128M x 4的组织形式,总存储容量达到512Mb,内部采用四bank设计,支持高速的突发读写操作。该器件内部集成了精密的时序控制电路与预取缓冲器,能够在每个时钟周期内传输4位数据,有效提升了数据吞吐效率,其并行接口设计确保了与主流内存控制器的高效协同工作。

该芯片的功能特点突出表现在其400MHz的时钟频率400ps的快速访问时间上,这使其能够满足对时序要求严苛的应用环境。其工作电压范围在1.7V至1.9V之间,体现了较低的功耗特性。写周期时间(字、页)为15ns,配合其并联存储器接口,能够实现稳定可靠的高速数据交换。对于需要稳定供货渠道的客户,可以通过正规的Micron代理商获取此型号及相关技术支持。

在物理接口与参数方面,MT47H128M4B6-25:D TR采用表面贴装型的60-FBGA封装,卷带(TR)包装形式适合自动化贴片生产。其工作温度范围为0°C至85°C(TC),确保了在商业级温度环境下的稳定运行。作为一款并联接口的易失性存储器,它严格遵循DDR2 SDRAM的标准规范,提供了包括CK、CK#、CKE、CS#、RAS#、CAS#、WE#、DM以及地址总线、数据总线在内的完整控制与数据信号引脚。

尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟可靠的技术特性使其依然适用于多种对成本和可靠性有特定要求的场景。典型的应用领域包括但不限于工业控制计算机、网络通信设备、打印机、数字标牌以及一些对DDR2平台有延续性需求的嵌入式系统。在这些应用中,它主要承担程序运行缓存、数据缓冲及帧缓冲区等关键角色,其512Mb的容量与高速性能能够有效支撑中等复杂度的实时数据处理任务。

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