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MT47H128M8SH-25E:M TR

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MT47H128M8SH-25E:M TR技术参数详情:

作为美光科技(Micron Technology)DDR2 SDRAM产品线中的一员,MT47H128M8SH-25E:M TR采用先进的1Gb核心架构,其内部组织为128M字深、8位宽,构成了一个高效的并行存储阵列。该芯片基于双倍数据速率(DDR2)技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据,从而在相同的物理时钟频率下实现了双倍的数据吞吐量。其核心工作电压范围设计为1.7V至1.9V,相比前代DDR产品显著降低了功耗,体现了在性能与能效之间的平衡。

该器件提供了400MHz的时钟频率,对应800Mbps的数据传输速率,能够满足对带宽有较高要求的应用场景。其访问时间低至400ps,写周期时间(字、页)为15ns,确保了快速的数据读写响应。芯片采用60引脚TFBGA(细间距球栅阵列)封装,以表面贴装形式提供,这种紧凑的封装方式有利于高密度PCB布局,适用于空间受限的现代电子设备。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过专业的美光芯片代理获取此型号产品,确保原装正品与供货稳定。

在接口与参数方面,MT47H128M8SH-25E:M TR采用标准的并联接口,与主流内存控制器兼容性好。其工作温度范围为0°C至85°C(基于外壳温度TC),确保了在商业及工业级常规环境下的稳定运行。该器件属于有源产品系列,以卷带(TR)形式包装,适合自动化贴片生产流程,提升了大规模制造的效率与一致性。

这款DDR2 SDRAM芯片典型的应用场景包括网络通信设备、工业控制计算机、嵌入式系统、打印机以及各类需要中等容量、较高带宽工作内存的消费类和商业类电子产品。其1Gb的容量和800Mbps的速率,使其成为连接处理器与外部存储或进行实时数据缓冲的理想选择,在需要平衡成本、功耗与性能的设计中占据重要地位。

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