Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT47H64M16HR-25E:H TR是美光科技（Micron Technology）推出的一款高性能DDR2 SDRAM芯片，采用先进的1Gb存储密度架构，组织为64M字×16位。该器件基于双倍数据速率（DDR）技术，在时钟上升沿和下降沿均可传输数据，有效实现了400MHz时钟频率下的高速数据传输，其核心访问时间低至400ps，写周期时间（字/页）为15ns，为需要快速数据吞吐的系统提供了可靠的存储解决方案。
该芯片采用1.8V标准供电电压（工作范围1.7V至1.9V），在保证性能的同时优化了功耗表现。其并行接口设计支持高效的数据读写操作，内部采用四bank架构，允许在不同存储体间进行交叉访问，从而减少预充电等待时间，提升整体带宽利用率。值得注意的是，该器件符合JEDEC标准的DDR2-800规格，数据传输速率可达800MT/s，能够满足对时序要求严格的应用需求。
在物理封装上，MT47H64M16HR-25E:H TR采用紧凑的84引脚TFBGA（细间距球栅阵列）表面贴装封装，具有良好的散热性和空间利用率，适用于高密度PCB布局。其工作温度范围为0°C至85°C（壳温），确保了在商业及工业级环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过美光中国代理获取相关产品技术资料与供货信息。
尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过市场验证的可靠性，使其在诸多存量系统升级或特定项目设计中仍具参考价值。它主要面向需要中等容量、高带宽存储的嵌入式系统、网络通信设备、工业控制模块以及部分消费电子产品的内存扩展场景，为系统设计师提供了一个经过优化的平衡性能、功耗与成本的存储器选项。
