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MT47H64M8B6-5E IT:D TR

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MT47H64M8B6-5E IT:D TR技术参数详情:

MT47H64M8B6-5E IT:D TR是美光科技(Micron Technology)推出的一款DDR2 SDRAM芯片,采用先进的DRAM技术构建。该器件采用64M x 8位的核心架构,总存储容量为512Mb,其内部组织方式优化了数据吞吐效率。它通过并联接口与控制器通信,内部采用多Bank阵列设计,支持突发读写操作,有效减少了访问延迟并提升了数据传输的连续性。其工作电压范围设计为1.7V至1.9V,在降低功耗的同时保证了信号的完整性。

该芯片具备一系列关键特性以支持高性能计算需求。其时钟频率达到200MHz,配合DDR2的双倍数据速率技术,可实现高达400MT/s的数据传输速率。访问时间低至600ps,写周期时间(字、页)为15ns,这些参数确保了在高速运行下的快速响应能力。器件支持表面贴装,采用紧凑的60-FBGA封装,适合高密度PCB板设计。其工作温度范围宽达-40°C至95°C(TC),使其能够适应工业级和汽车电子等严苛环境下的稳定运行。

在接口与参数方面,该芯片遵循标准的DDR2 SDRAM规范,提供并行数据、地址和控制总线。其供电电压的容差设计增强了系统在电压波动情况下的可靠性。值得注意的是,该产品已标注为停产状态,这意味着其主要用于现有系统的维护或特定生命周期较长的项目。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过正规的美光中国代理渠道获取该器件及相关技术支持。

从应用场景来看,MT47H64M8B6-5E IT:D TR主要面向需要中等容量、高带宽内存的嵌入式系统和网络设备。其稳定的性能和工业级温度特性,使其非常适合应用于工业控制计算机、通信基础设施(如路由器、交换机)、汽车信息娱乐系统以及专业的测试测量仪器。在这些领域,其快速的存取速度和可靠的数据保持能力,为处理实时数据和运行复杂算法提供了坚实的内存基础。

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