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MT48LC64M4A2P-7E:G TR

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MT48LC64M4A2P-7E:G TR技术参数详情:

美光科技(Micron Technology)推出的MT48LC64M4A2P-7E:G TR是一款采用同步动态随机存取存储器(SDRAM)架构的半导体器件,其核心设计基于经典的4 Bank内部结构,通过行地址选通(RAS)和列地址选通(CAS)的时序控制实现高速数据访问。该器件采用并联接口,数据宽度为4位(x4组织),总存储容量达到256Mb,内部逻辑通过流水线操作和突发传输模式优化连续读写性能,其内部预充电与自动刷新机制保障了数据在易失性存储中的动态保持能力。

该芯片的功能特性围绕其同步操作展开,所有输入信号均在时钟上升沿被采样,确保了与系统时钟的严格同步。133MHz的时钟频率配合5.4ns的访问时间,能够满足对时序要求严格的中高速应用场景。其工作电压范围为3V至3.6V,兼容标准的3.3V逻辑电平,而14ns的写周期时间则体现了其在页面模式下的高效数据写入能力。该器件支持可编程的突发长度与潜伏期(CAS Latency),为系统设计提供了灵活的时序配置空间。

在物理接口与关键参数方面,MT48LC64M4A2P-7E:G TR采用54引脚TSOP-II封装,外形尺寸为10.16mm宽,适合表面贴装(SMT)工艺。其工作温度范围覆盖商业级的0°C至70°C,适用于常见的室内电子设备环境。该器件作为美光经典SDRAM产品线的一员,其稳定的电气参数和成熟的制程工艺,使其在需要可靠、经济型内存解决方案的设计中曾占据一席之地。对于需要确保元器件供应链稳定与正品保障的客户,通过官方美光授权代理进行采购是推荐的渠道。

从应用场景来看,这款SDRAM芯片典型应用于对成本敏感且需要中等存储带宽的嵌入式系统、工业控制设备、网络通信模块以及部分消费电子产品的缓存或主内存单元。其256Mb(64M x 4)的容量组织方式,尤其适合在数据路径宽度经过精心设计、追求物料成本优化的系统中作为内存阵列的一部分。尽管该产品状态已标注为停产,但在许多现有系统的维护、备件供应或特定长期供货项目中,它仍然是一个被广泛认知和使用的解决方案。

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