MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR

作为一款由Micron Technology（美光科技）设计制造的移动低功耗同步动态随机存取存储器（Mobile LPSDR SDRAM），MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR采用了成熟的并行接口架构。其内部组织为8M深度与16位宽度的组合，构成了总容量128Mb的存储阵列。该芯片基于2.3V至2.7V的核心电压工作，并集成了自动刷新与自刷新模式，以在活跃操作与待机状态下有效管理功耗，维持数据完整性。

在功能实现上，该器件支持全页突发读写操作，其时钟频率最高可达125MHz，配合7ns的访问时间与15ns的页写周期时间，能够为系统提供稳定的数据吞吐带宽。其移动低功耗（Mobile LP）特性使其在电压波动容忍度和功耗控制方面表现突出，尤其适合对能效有严格要求的嵌入式场景。芯片采用54-VFBGA封装，以表面贴装形式提供紧凑的物理尺寸，适应高密度PCB布局需求。其工作温度范围覆盖-20°C至75°C，确保了在商业级和部分扩展工业环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过美光一级代理获取该产品的库存与技术支援服务。

从接口与电气参数来看，该并行接口简化了与主流微控制器或处理器的连接设计。其供电电压范围兼容常见的2.5V逻辑电平，降低了系统电源设计的复杂性。尽管该产品状态已标注为停产，但其稳定的性能参数，包括明确的时序规格与封装形式，使其在诸多现有系统维护或长期供货项目中仍具应用价值。设计人员需结合其停产状态评估长期可用性，并可在替代方案选择时参考其关键指标。

该芯片典型的应用场景集中于对功耗、尺寸和成本敏感的嵌入式电子设备。例如，它常被用于便携式工业终端、车载信息娱乐系统、网络通信模块以及需要中等容量缓存功能的消费类电子产品中。在这些领域，其平衡的性能、低功耗特性与成熟的制造工艺，能够为系统主处理器提供有效的内存扩展解决方案，支撑图形显示缓冲、数据临时存储或程序运行空间等关键功能。

• 制造商产品型号：MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量：128Mb（8M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：125MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：7ns
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：-20°C ~ 75°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：54-VFBGA
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