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MT49H16M18FM-25 IT:B TR

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MT49H16M18FM-25 IT:B TR技术参数详情:

MT49H16M18FM-25 IT:B TR是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能并行接口DRAM芯片,采用先进的1.7V至1.9V低电压供电设计,在-40°C至85°C的宽工业温度范围内提供稳定的数据存储与访问能力。该器件采用144-TFBGA表面贴装封装,以卷带(TR)形式供货,其核心架构基于16M x 18位的存储单元组织,总容量达到288Mb,为需要高带宽数据吞吐的系统提供了紧凑的存储解决方案。

该芯片的核心特性在于其400MHz的高时钟频率20ns的快速访问时间,这使其能够高效处理并行数据流,满足实时性要求苛刻的应用需求。其并联存储器接口设计简化了与主控处理器的连接,提升了系统集成的便利性。尽管该产品目前已处于停产状态,但其在生命周期内展现出的可靠性和性能,使其在特定存量市场和延续性设计中仍具参考价值。对于需要稳定供货和技术支持的客户,通过正规的美光一级代理渠道获取相关产品与替代方案信息至关重要。

在电气参数方面,MT49H16M18FM-25 IT:B TR严格遵循低功耗设计理念,工作电压范围兼容主流低功耗平台。其易失性存储器(DRAM)特性要求持续的刷新操作以保持数据,这是由其技术本质所决定的。该芯片的封装形式(144-TFBGA)优化了PCB布局空间,适合于高密度板卡设计。

从应用场景来看,这款芯片典型适用于需要中等容量、高带宽缓存或帧缓冲器的领域,例如某些专业的网络通信设备、工业控制系统的数据缓冲单元,或特定型号的显示处理与图像采集模块。其工业级工作温度范围使其能够适应严苛的室外或工业环境,确保了在自动化控制、电信基础设施等场景下的长期运行稳定性。

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