Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT49H8M36BM-25E:B TR是一款由美光科技（Micron Technology）推出的高性能并行接口动态随机存取存储器（DRAM）。该器件采用先进的DRAM技术，其核心架构基于8M深度与36位宽度的组织方式，构成了总容量为288Mb的存储阵列。这种并行结构设计旨在满足对高带宽数据吞吐有严格要求的应用场景，通过多数据位宽同步传输，有效提升了系统的整体数据交换效率。
该芯片的功能特点突出体现在其400MHz的时钟频率与15ns的访问时间上，这确保了高速、低延迟的数据读写操作。其工作电压范围设定在1.7V至1.9V之间，符合现代低功耗电子系统的供电标准，有助于优化整体能耗。器件采用144-TFBGA封装，以表面贴装形式提供，适用于高密度PCB板设计。值得注意的是，该产品目前状态为停产，在进行新设计选型时需考虑供应链的替代方案，用户可通过专业的美光芯片代理获取相关的产品库存或替代型号信息。
在接口与关键参数方面，MT49H8M36BM-25E:B TR采用并联接口，支持8M x 36的寻址模式。其工作温度范围为0°C至95°C（TC），能够适应较为宽泛的工业级环境要求。这些技术参数共同定义了该器件在复杂系统中的稳定性和可靠性边界。
综合其技术规格，该芯片典型的应用场景包括需要大量、高速数据缓冲的网络设备、高端打印机、工业控制计算机以及某些专业的图形处理或视频处理子系统。其288Mb的容量和36位的位宽，尤其适合作为需要处理宽数据字长或进行实时数据流处理的系统中的帧缓冲区或工作内存。
