Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT4HTF3264HZ-667G1是一款由美光科技（Micron Technology）设计制造的DDR2 SDRAM内存模块，采用200针小型双列直插内存模块（200-SODIMM）封装形式。该模块内部集成了多颗高速DDR2 SDRAM芯片，通过精密的PCB布线和高精度电阻网络，构成了一个总容量为256MB的完整内存解决方案。其核心基于双倍数据速率第二代同步动态随机存取存储器架构，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，从而在相同的物理时钟频率下实现了更高的有效数据传输带宽。
该器件支持高达667MT/s的数据传输速率，对应的工作时钟频率为333MHz。为实现这一高性能，模块内部采用了4位预取架构，使得内部存储阵列的核心操作频率仅为外部数据传输频率的四分之一，在提升接口速度的同时有效控制了芯片内核的功耗与发热。片上终结（ODT）和Posted CAS（列地址选通延迟）等关键技术的应用，优化了信号完整性并减少了命令总线冲突，提升了系统级多模块协同工作的效率。其工作电压为标准的1.8V，相较于前代DDR内存显著降低了功耗。
在接口与参数方面，该模块严格遵循JEDEC标准的DDR2-667（PC2-5300）规范。其200针SODIMM接口兼容主流笔记本和嵌入式小型化设备的设计要求。时序参数如CAS延迟、行预充电时间等均经过出厂精确调校，确保在标称频率下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的Micron代理商获取原装正品及相应的设计参考文档。
该内存模块主要面向对空间、功耗和可靠性有严格要求的嵌入式系统与移动计算平台。其典型的应用场景包括工业控制计算机、瘦客户机、网络通信设备、便携式医疗仪器以及某些特定型号的笔记本电脑。在这些领域，其小型化的封装、标准化的接口、经过验证的667MT/s速率以及美光科技提供的品质保证，使其成为系统设计师在有限空间内实现稳定内存扩展的可靠选择。
