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MT4HTF6464AY-53EA1

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MT4HTF6464AY-53EA1技术参数详情:

MT4HTF6464AY-53EA1是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR2 SDRAM内存模组。该模组采用标准的240针双列直插式(DIMM)封装,其核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速CMOS DRAM芯片并行组成,通过精密的地址/命令解码与控制逻辑,实现数据在时钟信号边沿的同步传输。其内部采用4Bank预取架构,有效提升了数据吞吐的并行效率,并通过片内终结(ODT)等设计优化信号完整性,确保在较高频率下稳定工作。

该模组具备512MB的存储容量,运行速度为533 MT/s(每秒百万次传输)。其工作电压为标准的DDR2 1.8V,相较于前代DDR内存显著降低了功耗与发热。其关键特性包括支持CAS Latency等可编程时序参数,为系统集成提供了灵活的配置空间。对于需要可靠供应链的客户,通过美光一级代理可以获得原厂正品保障与完善的技术支持。

在接口与电气参数方面,该模组严格遵循JEDEC标准规范,数据总线宽度为64位,与主流内存控制器完全兼容。其533MT/s的数据传输速率对应PC2-4200/5300等级,能够提供充足的带宽以满足中端计算平台的性能需求。模组上的SPD(串行存在检测)芯片存储了预置的时序、容量与制造商信息,支持系统启动时自动配置,简化了硬件集成流程。

MT4HTF6464AY-53EA1主要面向对成本与性能有均衡要求的商用计算与嵌入式领域。其典型应用场景包括企业级台式电脑、入门级工作站、工业控制计算机、网络通信设备(如路由器、防火墙)以及某些特定的金融终端和打印服务器。在这些应用中,它能够为系统提供可靠、稳定的内存扩展解决方案,保障多任务处理与数据缓存的流畅运行。

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