


MT4HTF6464HZ-800H1是一款由Micron Technology(美光科技)设计生产的DDR2 SDRAM模块,采用200针小型双列直插内存模块(200-SODIMM)封装形式。该模块的核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速CMOS DRAM芯片组成,通过精密的内部总线与寄存器/缓冲器协同工作,实现了在双倍数据速率(DDR)下每个时钟周期传输两次数据,有效提升了数据吞吐效率。其内部存储单元阵列经过优化,能够在提供稳定数据存储的同时,支持相对较高的时钟频率与数据传输速率。
该模块具备512MB的总存储容量,以64M字×64位的组织形式构成,适用于需要中等容量、高性能内存的系统。其标称运行速度达到800 MT/s(每秒百万次传输),对应核心时钟频率为400MHz,这为其带来了可观的数据带宽,能够有效满足对内存带宽有一定要求的应用场景。模块支持DDR2标准的关键功能,如片内终结(ODT)以减少信号反射,以及 posted CAS(列地址选通)与附加延迟(AL)功能来优化命令总线效率,这些特性共同保障了在高速运行下的信号完整性与时序稳定性。
在接口与电气参数方面,MT4HTF6464HZ-800H1采用SSTL_18(1.8V)电平标准,工作电压为1.8V ±0.1V,相比前代DDR内存显著降低了功耗。其200-SODIMM封装是笔记本电脑、紧凑型嵌入式设备及工业计算机中广泛采用的标准外形,提供了可靠的机械连接与电气接触。模块的时序参数(如CL、tRCD、tRP)严格遵循JEDEC针对DDR2-800规格的定义,确保了与主流平台芯片组的兼容性。对于需要可靠供应链与技术支持的用户,可以通过官方授权的美光中国代理渠道获取该产品及相关服务。
该内存模块典型的应用场景包括主流商务与消费级笔记本电脑的内存升级、一体机、瘦客户机、数字标牌播放器、工业控制计算机以及网络通信设备等。在这些领域,其800MT/s的速度与512MB容量组合,能够为运行操作系统、办公软件、轻量级多媒体处理及后台服务程序提供平衡的内存性能与成本。其SODIMM形态尤其适合空间受限但对内存可靠性和性能有明确要求的嵌入式设计与系统集成项目。
