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MT4KTF25664AZ-1G6E1

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MT4KTF25664AZ-1G6E1技术参数详情:

MT4KTF25664AZ-1G6E1是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR3 SDRAM内存模组。该产品采用标准的240针无缓冲双列直插内存模块(240-pin UDIMM)封装形式,单条容量为2GB。其核心基于成熟的DDR3架构,通过双倍数据速率技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均进行数据传输,从而在相同的物理频率下实现了更高的有效带宽。该模组内部由多颗高速DRAM芯片组成,并通过精密的PCB布线确保信号完整性,以满足对时序和稳定性要求严格的计算环境。

该模组具备DDR3技术的一系列关键特性,包括预取架构提升至8n,这使其在每次内存访问中能获取更多数据,有效提升了数据吞吐效率。它支持1.5V的标准工作电压,相较于前代DDR2内存,在提供高性能的同时实现了更低的功耗,有助于降低系统整体能耗与发热。其设计遵循JEDEC标准规范,确保了与主流支持DDR3内存的台式机、工作站和服务器的广泛兼容性。对于需要可靠供应链的客户,可以通过授权的美光芯片代理获取此型号产品,确保元器件的正品来源与供货稳定。

在接口与电气参数方面,MT4KTF25664AZ-1G6E1采用并行数据接口,其具体时序参数(如CL、tRCD、tRP)和运行频率(速度)需参考完整的产品数据手册,这些参数共同决定了模组的最终性能等级。其“-1G6E1”的后缀通常关联特定的速度等级与延迟配置。该模组的设计严格考虑了信号完整性,以保障在高速运行下的数据准确性。

MT4KTF25664AZ-1G6E1主要面向需要稳定内存扩展的商用和通用计算平台。其典型的应用场景包括企业级和中小型企业的台式电脑、入门级工作站以及部分对内存容量和可靠性有基础要求的服务器节点。它适用于日常办公、数据处理、虚拟化基础环境以及作为监控系统、POS终端等嵌入式工控设备的存储组件,为这些系统提供经济高效且经过验证的内存升级解决方案。

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