MT52L256M64D2QA-125 XT:B TR

作为美光科技（Micron Technology）推出的高性能移动存储解决方案，MT52L256M64D2QA-125 XT:B TR是一款采用LPDDR3标准的16Gb（2GB）容量DRAM芯片。该器件基于先进的低功耗双倍数据率架构设计，旨在满足现代移动计算设备对高带宽、低延迟和极致能效的严苛要求。其核心采用了双通道配置，每个通道数据宽度为64位，总位宽达到128位，能够在单次访问中处理大量数据，显著提升系统级的数据吞吐能力。

该芯片的功能特性突出体现在其高性能与低功耗的平衡上。它支持高达1600 Mbps（等效于800 MHz时钟频率）的数据传输速率，确保了流畅的多任务处理和高分辨率图形渲染。同时，LPDDR3技术固有的低工作电压（通常为1.2V VDDQ）以及一系列高级电源管理状态，如深度掉电（Deep Power-Down）和局部阵列自刷新（Partial Array Self-Refresh），使其在待机和活动状态下的功耗都得到有效控制，极大地延长了电池供电设备的续航时间。其封装形式为紧凑的FBGA（细间距球栅阵列），非常适合空间受限的移动和嵌入式应用。

在接口与关键参数方面，MT52L256M64D2QA-125 XT:B TR提供了标准化的LPDDR3接口，确保了与主流应用处理器和芯片组的良好兼容性。其“-125”的速度等级标识代表了125ns的初始延迟（tRCD/tRP），配合高速时钟，实现了快速的命令响应和数据访问。该器件采用卷带（TR）包装，适用于高效率的自动化表面贴装（SMT）生产流程。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的Micron代理商获取该产品及相关设计资源。

该芯片的典型应用场景广泛覆盖了需要高性能、低功耗内存的领域。它是高端智能手机、平板电脑、超薄笔记本的理想选择，能够为复杂的操作系统、大型应用和游戏提供充足的内存带宽。此外，在汽车信息娱乐系统、工业控制计算机、物联网网关以及需要可靠性和能效的嵌入式系统中，其稳健的设计和宽工作温度范围也使其成为可靠的存储核心，支撑着各类设备实现流畅、高效的数据处理与交互体验。

• 制造商产品型号：MT52L256M64D2QA-125 XT:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM LPDDR3 16G FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：-
• 存储器格式：-
• 技术：-
• 存储容量：-
• 存储器接口：-
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• 现在可以订购MT52L256M64D2QA-125 XT:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。