MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR

美光科技推出的MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR是一款高性能、低功耗的移动LPDDR3 SDRAM芯片。该器件采用先进的30nm级制程工艺，集成了24Gb（768M x 32）的存储容量，其核心架构基于双倍数据速率（DDR）技术，在时钟的上升沿和下降沿均可进行数据传输，从而在较低的时钟频率下实现高带宽。其内部采用多Bank设计，支持快速的Bank间切换，有效减少了访问延迟，提升了数据吞吐效率。

该芯片的功能特点突出体现在其高性能与低功耗的平衡上。其工作时钟频率高达933MHz，等效数据传输速率达到1866MT/s，能够为应用处理器提供充沛的内存带宽。1.2V的低工作电压是其关键特性之一，显著降低了动态和静态功耗，非常契合移动设备对续航能力的严苛要求。同时，它支持部分阵列自刷新（PASR）和温度补偿自刷新（TCSR）等高级电源管理功能，可根据系统负载和温度状况动态调整功耗状态，进一步优化能效。

在接口与关键参数方面，MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR采用32位宽的数据总线，封装形式为紧凑的168-ball FBGA，适合空间受限的PCB布局。其工作电压范围为1.14V至1.30V，确保了在电压波动下的稳定运行。该器件的工作温度范围覆盖-30°C至85°C（结温），能够适应从消费电子到工业控制等多种环境下的可靠操作。其卷带（TR）包装形式也便于自动化表面贴装生产，提升制造效率。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的美光中国代理进行采购与咨询。

基于其技术特性，该芯片主要面向对性能、功耗和尺寸均有高要求的应用场景。它是高端智能手机、平板电脑、超薄笔记本电脑等消费电子产品的理想内存解决方案，能够流畅支持高分辨率显示、多任务处理与大型游戏。此外，在需要嵌入式大容量存储的领域，如车载信息娱乐系统、工业级平板、网络通信设备以及一些AIoT边缘计算节点中，其宽温特性、高可靠性和低功耗优势也能得到充分发挥，为系统整体性能提供坚实的内存基础。

• 制造商产品型号：MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 24GBIT 933MHZ 168FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR3
• 存储容量：24Gb（768M x 32）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：933MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.2V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：168-WFBGA
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