MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR

MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR是一款由美光科技（Micron Technology）推出的高性能、低功耗移动双倍数据率同步动态随机存取存储器（Mobile LPDDR4 SDRAM）。该芯片采用先进的工艺技术，其核心架构基于384M x 64的组织形式，实现了高达24Gb（3GB）的单颗存储容量。这种高密度存储方案通过优化的内部Bank分组和行列地址寻址机制，有效提升了数据吞吐效率并降低了核心操作功耗，为需要大容量内存的紧凑型设备提供了理想的解决方案。

在功能特性上，该器件支持高达1600MHz的数据传输速率，配合LPDDR4接口的双通道设计，能够提供出色的峰值带宽。其工作电压为1.1V，显著低于传统DDR内存，体现了其在移动和嵌入式领域对低功耗设计的深度优化。芯片内置了温度补偿自刷新（TCSR）、部分阵列自刷新（PASR）等高级电源管理功能，可根据系统负载动态调整功耗状态，从而在活跃和待机模式下都能实现极佳的能效比。此外，其支持片上终端（ODT）和可编程的驱动强度，有助于优化信号完整性，确保在高速运行下的数据传输稳定性。

该存储器采用FBGA封装，以卷带（TR）形式供货，便于自动化贴装生产。其接口遵循JEDEC标准的LPDDR4规范，确保了与主流移动平台处理器的良好兼容性。关键电气参数方面，除了1600MHz的时钟频率和1.1V的核心电压，其工作温度范围覆盖-30°C至85°C（TC），能够适应严苛的工业与车载环境要求。对于需要可靠供应链的客户，可以通过美光一级代理获取正品货源与全面的技术支持。

基于其高带宽、大容量和超低功耗的特性，MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR主要面向对性能与能效有双重严苛要求的应用场景。这包括高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、增强现实（AR）/虚拟现实（VR）头显以及各类需要复杂图形处理和数据计算的移动终端。同时，其宽温特性也使其能够胜任汽车信息娱乐系统、工业控制计算机、网络通信设备等嵌入式领域的应用，为下一代智能设备提供强大的内存支持。

• 制造商产品型号：MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 24GBIT 1600MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：24Gb（384M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1600MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• 现在可以订购MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。