MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR

作为美光科技（Micron Technology）推出的高性能移动低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器（Mobile LPDDR4 SDRAM），MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR采用了先进的工艺节点和架构设计，旨在满足下一代移动计算和嵌入式系统对高带宽、大容量及低功耗的严苛需求。其核心架构基于双通道设计，每个通道支持16位数据总线，组合形成64位宽的总线接口，有效提升了数据传输的并行处理能力。内部采用多Bank组织结构和高速预取机制，结合精密的时序控制，确保了在高速运行下的数据稳定性和访问效率。

该器件集成了多项关键功能特性以优化系统性能与功耗。工作电压低至1.1V，显著降低了动态和静态功耗，符合移动设备对长续航的要求。其时钟频率高达1600MHz（等效数据速率为3200MT/s），提供了卓越的数据吞吐带宽，能够流畅处理高分辨率图形渲染、多任务并行计算及实时数据流处理等密集型负载。器件支持温度补偿自刷新（TCSR）、部分阵列自刷新（PASR）等高级电源管理功能，可根据工作负载动态调整功耗状态，实现精细化的能耗控制。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过美光一级代理可以获得原厂正品保障与专业服务。

在接口与关键参数方面，该芯片提供了标准化的移动LPDDR4接口，便于与主流应用处理器（AP）和片上系统（SoC）集成。其存储容量配置为48Gb，组织架构为768M（字）x 64（位），为大容量数据缓存和运行内存提供了充足空间。器件采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，卷带（TR）包装形式适合自动化表面贴装（SMT）生产，提升了制造效率。其宽泛的工作温度范围覆盖-30°C至85°C（基于外壳温度TC），确保了在严苛环境下的可靠运行，满足工业级和扩展商业温度应用的需求。

凭借其高性能、低功耗和高可靠性的特点，MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR非常适合应用于对内存性能要求苛刻的领域。在智能手机、平板电脑和高性能便携式计算设备中，它能为多核处理器提供充沛的数据带宽，保障用户界面的流畅体验和复杂应用的高速运行。同时，在车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）、工业自动化控制设备、网络通信设备以及需要边缘AI推理的物联网网关等嵌入式系统中，该芯片也能提供稳定的高带宽内存支持，是驱动智能互联时代各类先进电子产品的关键组件之一。

• 制造商产品型号：MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 48GBIT 1600MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：48Gb（768M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1600MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• 现在可以订购MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。