MT53B768M64D8NK-053 WT:D TR

MT53B768M64D8NK-053 WT:D TR是一款由美光科技（Micron Technology）推出的高性能、高密度移动低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器（Mobile LPDDR4 SDRAM）。该芯片采用先进的工艺技术，旨在为需要高带宽、低功耗和紧凑封装的移动计算与嵌入式应用提供核心内存解决方案。

该器件基于LPDDR4架构，内部组织为768M（兆位）深度与64位宽度的组合，总存储容量达到48Gb。其核心工作频率高达1866MHz，在双倍数据率（DDR）技术下，有效数据传输速率可达3733 MT/s，为数据密集型任务提供了出色的带宽支持。其工作电压为1.1V，显著降低了动态和静态功耗，符合现代移动设备对能效的严苛要求。封装形式为紧凑的366-ball WFBGA（细间距球栅阵列），采用表面贴装技术，非常适合空间受限的设计。

关键特性包括其高带宽性能与优化的功耗管理。1866MHz的时钟频率确保了快速的数据吞吐能力，能够有效满足高端智能手机、平板电脑、便携式设备以及汽车信息娱乐系统中处理器对内存带宽的需求。同时，LPDDR4标准引入的多种低功耗状态和精细的电源门控技术，使得该芯片在活跃和待机模式下都能实现卓越的能效比。其工作温度范围覆盖-30°C至85°C（基于外壳温度TC），确保了在宽温环境下的可靠性与稳定性。

在接口与参数方面，该芯片遵循JEDEC标准的LPDDR4接口规范，提供了高速命令/地址总线和数据总线。其48Gb的大容量（等效于6GB，以768M x 64组织）能够支持复杂的多任务处理、高分辨率图形渲染和人工智能边缘计算等场景。对于需要稳定供货与技术支持的项目，可以通过美光一级代理获取该产品的相关供应链服务。该器件典型的应用场景集中于下一代移动平台、高性能嵌入式系统、车载计算单元以及需要低功耗、高可靠性内存的工业级设备中，为系统设计者提供了平衡性能、功耗和成本的高价值内存选择。

• 制造商产品型号：MT53B768M64D8NK-053 WT:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 48GBIT 1866MHZ 366WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：48Gb（768M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1866MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：366-WFBGA
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