MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR

美光科技（Micron Technology）推出的MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR是一款基于先进Mobile LPDDR4技术的16Gb（256M x 64）SDRAM芯片。该器件采用高密度存储架构，在单颗芯片内集成了256M个存储单元，并通过64位宽数据总线进行高速数据交换，有效满足了现代移动计算和嵌入式系统对高带宽、大容量内存的严苛需求。其核心设计针对低功耗场景进行了深度优化，在保持高性能的同时，显著降低了动态和静态功耗，这对于依赖电池供电的设备至关重要。

该芯片运行于2133MHz的高时钟频率，能够提供出色的数据传输速率，确保系统在处理大量数据或运行复杂应用时的流畅性。其工作电压为1.1V，这一较低的供电电压直接贡献于整体系统的能效提升。为了适应各种苛刻的环境，MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR支持宽温工作范围（-30°C至105°C，基于外壳温度TC），使其不仅适用于消费级电子产品，也能在工业自动化、车载信息娱乐系统等对温度稳定性要求更高的领域可靠运行。其卷带（TR）包装形式也便于自动化表面贴装（SMT）生产，提升制造效率。

在接口与参数方面，这款LPDDR4内存严格遵循JEDEC标准，确保了与主流移动平台处理器（如应用处理器和片上系统SoC）的兼容性与互操作性。其易失性存储器（DRAM）的特性要求配合内存控制器进行定时刷新以保持数据，但这也换来了远超非易失性存储器的读写速度。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过美光一级代理获取该产品及相关服务。

基于其高性能、低功耗和宽温特性，MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR的理想应用场景广泛覆盖了高端智能手机、平板电脑、超薄笔记本、便携式游戏设备等消费电子领域。同时，其在严苛温度下的稳定性也使其成为汽车ADAS（高级驾驶辅助系统）、车载仪表盘、工业HMI（人机界面）、网络通信设备以及各类嵌入式边缘计算节点的可靠内存解决方案，为下一代智能设备提供核心的数据吞吐动力。

• 制造商产品型号：MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 16GBIT 2133MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：16Gb（256M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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