MT53D384M64D4KA-046 XT:E

作为美光科技（Micron Technology）推出的高性能移动存储器解决方案，MT53D384M64D4KA-046 XT:E采用了先进的低功耗双倍数据速率第四代（LPDDR4）SDRAM技术。其核心架构基于384M x 64的组织形式，实现了高达24Gb的总存储容量，为数据密集型应用提供了充足的存储空间。该芯片在1.1V的供电电压下运行，通过优化的电路设计和制造工艺，在提供高带宽的同时，显著降低了动态和静态功耗，这对于延长电池供电设备的续航时间至关重要。

该器件支持高达2133MHz的时钟频率，结合LPDDR4的双通道架构，能够实现高效的数据吞吐率，满足现代移动计算平台对内存带宽日益增长的需求。其宽泛的工作温度范围（-30°C至105°C，基于外壳温度）确保了在严苛环境下的可靠性和稳定性，使其能够适应从消费电子到工业领域的多样化应用场景。其封装形式为FBGA（细间距球栅阵列），这种紧凑的封装有利于在空间受限的PCB布局中实现高密度集成。

在接口和参数方面，它严格遵循JEDEC标准的LPDDR4规范，确保了与主流移动平台处理器（AP）和芯片组（SoC）的良好兼容性。其易失性存储器特性要求与电源管理单元紧密配合，以实现快速启动和低功耗状态切换。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过美光中国代理获取该产品的详细信息、技术文档和采购支持。

该芯片典型的应用场景包括高性能智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统以及需要高带宽、低功耗内存的各类嵌入式系统。在这些应用中，它能够为多任务处理、高分辨率图形渲染、实时数据处理以及人工智能边缘计算等任务提供坚实的内存基础，是构建下一代智能移动和嵌入式设备的关键组件之一。

• 制造商产品型号：MT53D384M64D4KA-046 XT:E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 24GBIT 2133MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：24Gb（384M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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