MT53D768M64D8NZ-046 WT:E

MT53D768M64D8NZ-046 WT:E是美光科技（Micron Technology）推出的一款高性能、高密度移动低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器。该器件采用先进的Mobile LPDDR4技术，其核心架构基于双倍数据率传输机制，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，从而在相同的物理时钟频率下实现更高的有效数据带宽。其内部组织为768M（兆）个存储单元，每个单元位宽为64位，总存储容量达到48Gb，为移动计算和嵌入式系统提供了充裕的内存资源。

该芯片在功能设计上充分考虑了功耗与性能的平衡。工作电压低至1.1V，显著降低了动态和静态功耗，这对于电池供电的便携式设备至关重要。其时钟频率高达2133MHz，结合LPDDR4接口的高效数据传输能力，能够为应用处理器提供高速、低延迟的数据访问，有效支撑高分辨率显示、多任务处理以及复杂AI算法的运行需求。其工作温度范围覆盖-30°C至85°C（TC），确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。

在接口与物理规格方面，该器件采用376-ball WFBGA（细间距球栅阵列）封装，这是一种表面贴装型封装，具有高引脚密度和优良的电气性能，非常适合空间受限的紧凑型PCB设计。其接口遵循标准的LPDDR4规范，确保了与主流移动平台处理器的良好兼容性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的美光芯片代理获取该产品及相关服务。

基于其高带宽、低功耗和高密度的特性，MT53D768M64D8NZ-046 WT:E主要面向对性能与能效有双重要求的应用场景。它是高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、无人机以及车载信息娱乐系统的理想内存解决方案。同时，在需要大量数据缓存的边缘计算设备、工业控制计算机和网络通信设备中，该芯片也能发挥其高容量和高可靠性的优势，为下一代智能终端和物联网设备提供核心的内存支持。

• 制造商产品型号：MT53D768M64D8NZ-046 WT:E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 48GBIT 2133MHZ 376WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：48Gb（768M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：376-WFBGA
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