MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR

MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR是美光科技（Micron Technology）推出的一款高性能、高密度移动低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器（Mobile LPDDR4 SDRAM）。该芯片采用先进的工艺技术，旨在为对功耗、带宽和空间有严苛要求的移动计算和嵌入式应用提供核心内存解决方案。其设计遵循了JEDEC的LPDDR4标准，在保证高速数据传输的同时，显著优化了功耗表现，是构建高效能系统不可或缺的组件。

该器件采用768M（字）x 64（位）的存储阵列架构，总容量达到48Gb（6GB），提供了宽裕的数据存储空间。其核心运行在1866MHz的时钟频率下，结合LPDDR4的双倍数据率特性，能够实现高达3733 MT/s的数据传输速率，为处理器提供了充沛的内存带宽，有效缓解了数据吞吐瓶颈。工作电压为1.1V，这一低电压设计是其实现低功耗特性的关键，特别适合电池供电的便携式设备。其工作温度范围覆盖-30°C至85°C（TC），确保了在宽温环境下的稳定性和可靠性，满足工业级和车规级应用的潜在需求。

在功能层面，该芯片支持LPDDR4标准引入的多种节能特性，如深度掉电模式、温度补偿自刷新等，能够根据系统负载动态调整功耗状态。其封装形式为FBGA（细间距球栅阵列），这种紧凑的封装有利于在空间受限的PCB布局中实现高密度集成。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的美光代理商获取该产品及相关服务。尽管其零件状态标注为停产，但在特定存量应用或生命周期较长的项目中，它依然是一个经过市场验证的可靠选择。

基于其高带宽、低功耗和宽温工作的特点，MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR主要面向高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统以及工业级嵌入式计算机等应用场景。在这些领域中，它能够为应用处理器、图形处理器和人工智能加速器提供高速、稳定的数据缓存和交换支持，是提升终端设备整体性能和用户体验的关键内存部件。

• 制造商产品型号：MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 48GBIT 1866MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：48Gb（768M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1866MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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