MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR技术参数详情：
MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR是Micron公司(美光半导体)热门的产品型号之一，Micron代理商提供专业及时的MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR图片、参数及技术文档下载，为您采购Micron芯片MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR提供全方位的服务。
- 型号:MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-TFBGA（10x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 16GBIT PAR 200TFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:512M x 32
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:2.133 GHz
- 写周期时间 - 字，页:18ns
- 访问时间:3.5 ns
- 电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-TFBGA
- 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5）
- 现在可以订购MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
