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MT8HTF12864AY-40ED1

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MT8HTF12864AY-40ED1技术参数详情:

MT8HTF12864AY-40ED1是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用标准的240针双列直插内存模块(DIMM)封装形式,其核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成,通过精密的地址/命令总线和数据总线进行协同工作,实现了大容量、高带宽的数据存储与访问能力。模块内部集成了片上终端(ODT)和可编程的CAS延迟、预充电时间等时序控制逻辑,确保了在高速运行下的信号完整性与时序准确性。

该模块的功能特点突出体现在其1GB的大存储容量400MT/s的数据传输速率上。400MT/s的速率对应着高达6.4GB/s的理论峰值带宽,能够有效满足对数据吞吐量要求苛刻的应用需求。其工作电压为标准的DDR2 1.8V,在提供高性能的同时,也兼顾了能效表现。模块支持ECC(错误校验与纠正)功能,这对于需要高可靠性和数据完整性的服务器、工作站等应用场景至关重要。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的美光中国代理渠道进行采购与咨询。

在接口与关键参数方面,MT8HTF12864AY-40ED1严格遵循JEDEC标准规范。其接口采用240-pin DIMM设计,电气与物理兼容性广泛。核心时序参数,如CL(CAS延迟)、tRCD、tRP等,均针对400MHz(DDR2-800)的时钟频率进行了优化,确保了在额定速度下的稳定运行。模块的刷新机制和突发长度(BL)可配置,为系统设计提供了灵活性。其工作温度范围符合商业级或工业级标准,能够适应不同的环境要求。

基于其高带宽、大容量和高可靠性的特点,MT8HTF12864AY-40ED1主要面向企业级计算、网络通信和高端嵌入式系统等应用场景。它是构建传统服务器、工作站、网络路由器、交换机以及高性能存储阵列中内存子系统的理想选择。在那些需要处理大量并发数据、运行虚拟化环境或执行复杂计算任务的系统中,该模块能够提供持续稳定的内存资源支撑,保障整体系统性能的充分发挥。

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