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MT8HTF12864HDZ-800H1

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MT8HTF12864HDZ-800H1技术参数详情:

MT8HTF12864HDZ-800H1是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能、高密度内存模组。该产品采用标准的200针小外形双列直插内存模块(200-SODIMM)封装,其核心架构基于成熟的DDR2 SDRAM技术,内部由多颗高速DRAM芯片并行组成,通过精密的PCB布线实现1GB的总存储容量。该架构在保证数据带宽的同时,通过优化的内部Bank管理和预取机制,有效提升了数据访问效率,为系统提供了稳定可靠的内存扩展方案。

该模组的关键特性在于其800MT/s的数据传输速率,这使其能够满足对内存带宽有较高要求的应用环境。其工作电压符合DDR2标准,在提供高性能的同时也兼顾了功耗控制。模块支持双倍数据速率(DDR)技术,在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输,从而在相同的物理时钟频率下实现了翻倍的有效数据吞吐量。其内部集成有串行存在检测(SPD)EEPROM,可自动向主机系统报告模块的时序、容量、制造商等关键参数,简化了系统配置流程。

在接口与电气参数方面,MT8HTF12864HDZ-800H1严格遵循JEDEC为DDR2 SODIMM制定的规范,确保了与主流平台的良好兼容性。其800MT/s的速度对应着特定的时钟频率和时序参数(如CL、tRCD、tRP等),这些参数经过美光科技的严格测试与验证,保证了模块在标称速度下的长期稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的Micron代理商获取原装正品和技术支持。

凭借其紧凑的SODIMM外形和1GB的容量,这款内存模组主要面向空间受限但对性能有明确要求的嵌入式系统、工业计算机、网络通信设备、瘦客户机以及高端笔记本电脑等应用场景。它能够为这些设备提供充足的内存资源,以流畅运行复杂的操作系统、处理多任务或承载数据密集型的应用程序,是构建高效、稳定计算平台的核心组件之一。

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