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MT8HTF12864HTZ-667H1

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MT8HTF12864HTZ-667H1技术参数详情:

MT8HTF12864HTZ-667H1是一款由Micron Technology(美光科技)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块,采用200针小型双列直插内存模块(200-SODIMM)封装形式。该模块的核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速、低功耗的DDR2 SDRAM芯片组成,通过精密的PCB布线和阻抗控制,实现稳定的1GB存储容量。其设计遵循JEDEC标准规范,确保了与主流平台和芯片组的广泛兼容性。

该模块在功能上实现了667MT/s的数据传输速率,对应的工作时钟频率为333MHz。DDR2技术的关键特性在此模块上得到充分体现,包括4位预取架构,这使其在相同核心频率下,数据传输速率是传统SDRAM的两倍。同时,它采用了片上终结(ODT)技术,有助于改善信号完整性,减少主板上的终结电阻需求,简化系统设计并提升信号质量。其工作电压为标准的1.8V,相比前代DDR内存显著降低了功耗和发热。

在接口与关键参数方面,该SODIMM模块的200针接口定义了地址、命令、数据和控制信号的完整电气与物理规范。其1GB的存储容量为系统提供了充裕的内存空间。667MT/s的速度等级确保了高效的数据吞吐能力,能够满足对带宽有特定要求的应用。模块的封装尺寸紧凑,非常适合空间受限的嵌入式或移动计算设备。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的美光代理商获取此型号产品,确保原装正品和技术支持。

MT8HTF12864HTZ-667H1主要面向需要稳定、高效内存解决方案的嵌入式系统、工业控制计算机、网络通信设备、瘦客户机以及某些型号的笔记本电脑和便携式设备。其平衡的性能、容量与功耗表现,使其成为对可靠性、兼容性及空间利用率有较高要求的应用场景中的理想选择。

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