Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT8HTF3264AY-667B6是一款由美光科技（Micron Technology）设计和制造的DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用标准的240针双列直插内存模块（DIMM）封装，其核心架构基于成熟的DDR2技术，通过4n预取架构实现数据总线的有效倍增。内部由高速同步动态随机存取存储器芯片组成，通过精密的时序控制和信号完整性设计，确保在较高数据传输速率下的稳定运行。
该模块提供了256MB的存储容量，运行速度为667MT/s（百万次传输/秒），对应时钟频率为333MHz。其工作电压为1.8V，相比前代DDR标准显著降低了功耗，有助于提升系统的能效比。模块支持ECC（错误校验与纠正）功能，能够检测并修正单位元错误，这对于要求高可靠性和数据完整性的计算环境至关重要。其设计严格遵循JEDEC标准，确保了与主流服务器和工作站平台的广泛兼容性。
在接口与电气参数方面，模块采用SSTL_18（1.8V系列终端逻辑）接口标准，并具备片上终端（ODT）功能，以优化信号质量并简化主板设计。其延迟时序参数（如CL、tRCD、tRP）针对667MT/s的速度进行了优化，以平衡性能与稳定性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过美光中国代理获取该产品及相关技术支持。
该内存模块主要面向需要稳定内存扩展的企业级应用场景，例如入门级服务器、网络存储设备（NAS）、工业控制计算机以及高性能工作站。其256MB的容量和667MT/s的速度能够有效满足这些应用对中等数据处理带宽和系统可靠性的需求，是升级或构建老旧但关键业务系统时的一个经典型号选择。
