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MT8HTF6464AY-40EB8

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MT8HTF6464AY-40EB8技术参数详情:

MT8HTF6464AY-40EB8是一款由Micron Technology(美光科技)设计生产的DDR2 SDRAM内存模组,采用标准的240针双列直插内存模块(DIMM)封装。该模组的核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成,通过精密的内部总线与寄存器/缓冲器协同工作,构成一个总容量为512MB的存储单元。其设计遵循JEDEC标准规范,确保了与主流主板和芯片组的广泛兼容性,同时其电气特性和信号完整性经过优化,以满足稳定运行的要求。

该模组运行速度为400MT/s(百万次传输/秒),对应时钟频率为200MHz,在双倍数据速率(DDR)技术下,实现了每个时钟周期传输两次数据的高效操作。其工作电压为1.8V,相较于前代DDR内存显著降低了功耗,有助于提升系统能效并减少发热。模组支持ECC(错误校验与纠正)功能,能够检测并修正单位元错误,这对于要求高可靠性和数据完整性的计算环境至关重要。时序参数经过严格测试,确保了在标称速度下的稳定访问延迟。

在接口与关键参数方面,MT8HTF6464AY-40EB8采用240-DIMM封装,这是服务器和工作站平台的常见规格。其组织架构通常为64M x 72位(包含8位ECC校验位),通过双通道或更高级的内存控制器可以进一步提升系统带宽。该模组适用于需要中等容量、可靠内存解决方案的领域,例如企业级入门服务器、网络存储设备(NAS)、工业控制计算机以及高性能工作站。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的美光中国代理获取此产品及相关服务。

其应用场景主要集中于对稳定性、兼容性及长期供货有明确要求的商用和工业领域。在服务器中,它可用于运行虚拟化环境、数据库或文件服务;在工业PC中,它能耐受更宽的温度范围和更严苛的运行条件。选择此型号意味着选择了一个经过市场验证、技术成熟且由业界领先制造商提供的解决方案,能够为各种计算系统提供坚实可靠的内存扩展基础。

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