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MT8HTF6464AY-40EB9

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MT8HTF6464AY-40EB9技术参数详情:

MT8HTF6464AY-40EB9是一款由Micron Technology(美光科技)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块。该产品采用标准的240针双列直插内存模块(240-DIMM)封装形式,其核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成,通过精密的PCB板进行互连与信号整合,构成一个总容量为512MB的完整内存解决方案。模块内部集成了串行存在检测(SPD)芯片,用于存储模块的时序、容量及制造商信息,确保与主机系统的自动识别和稳定兼容。

该模块运行速度为400MT/s(百万次传输/秒),对应的时钟频率为200MHz。得益于DDR2的双倍数据速率特性,它在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输,从而在相同的时钟频率下实现了比传统SDRAM高一倍的数据带宽。其设计遵循JEDEC标准规范,确保了在服务器、工作站及高端台式机等平台上的广泛适用性。对于需要可靠供应链和原厂品质保障的客户,通过美光一级代理进行采购是确保产品正宗与供货稳定的有效途径。

在功能与性能层面,MT8HTF6464AY-40EB9提供了稳定的数据传输能力和较低的功耗表现。DDR2技术相比前代产品,通常工作电压降至1.8V,有助于降低系统整体功耗与发热。其采用的4位预取架构提升了内存核心与I/O缓冲区之间的数据交换效率。模块的接口设计支持差分选通(DQS)信号,以提升数据采集的准确性与时序容限,确保在高速运行下的数据完整性。

从关键参数来看,512MB的存储容量能够满足多种应用对中等容量内存的需求。400MT/s的数据速率平衡了性能与成本,适用于对带宽要求并非极端但需要可靠性的场景。标准的240-DIMM外形使其能够直接插入支持DDR2内存的相应主板插槽,简化了系统集成与升级过程。该模块主要面向企业级和商用计算环境,例如入门级服务器、网络存储设备、金融终端、工业控制计算机以及特定型号的台式电脑和工作站。在这些场景中,它为用户提供了一个经过验证的、高性价比的内存升级或替换方案,有助于延长现有设备的使用寿命并保障其稳定运行。

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