Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT8HTF6464AY-667B3是一款由美光科技（Micron Technology）设计和生产的DDR2 SDRAM内存模组。该模组采用标准的240针双列直插式（DIMM）封装，其核心架构基于成熟的DDR2技术，内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成，通过精密的地址/命令总线和数据总线进行协同工作，以实现高带宽的数据吞吐。其内部采用4Bank预取架构，通过改进的信号完整性和更低的运行电压，在提升数据传输速率的同时，有效控制了功耗与发热。
该模组具备512MB（64M x 64位）的存储容量，能够满足中等规模数据缓冲和处理的需求。其数据传输速率高达667MT/s（兆次传输/秒），对应的工作时钟频率为333MHz。这一性能指标意味着它在每个时钟周期内能完成两次数据传送，显著提升了内存子系统的整体带宽，对于需要频繁进行大数据量交换的应用至关重要。其工作电压典型值为1.8V，相较于前代DDR标准，在提供更高性能的同时实现了更优的能效比。
在接口与电气参数方面，该模组严格遵循JEDEC标准的DDR2规范，确保了与主流平台和芯片组的广泛兼容性。其接口支持差分时钟输入（CK/CK#）以提高抗噪性，并集成了片内终结（ODT）功能，有助于简化主板设计并优化信号质量。对于需要稳定可靠内存解决方案的系统集成商或开发者而言，通过正规的美光代理商进行采购，是确保产品为正品并获得完整技术支持的可靠途径。
基于其稳定的性能和标准化的封装，MT8HTF6464AY-667B3主要面向企业级和商用计算领域。它适用于需要升级或维护的台式电脑、入门级服务器、工作站以及各种嵌入式系统和工业控制设备。在这些应用场景中，该模组能够为操作系统、应用程序和缓存数据提供可靠的高速存储支持，是构建经济高效且性能均衡的计算平台的关键组件之一。
