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MT8HTF6464AY-800D1

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MT8HTF6464AY-800D1技术参数详情:

MT8HTF6464AY-800D1是一款由Micron Technology(美光科技)设计生产的DDR2 SDRAM内存模组,采用标准的240针双列直插式内存模块(240-DIMM)封装。该模组的核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速CMOS DRAM芯片组成,通过精密的PCB布线实现稳定的并行数据传输。其设计遵循JEDEC标准规范,确保了与主流服务器、工作站及高性能计算平台的广泛兼容性。

该模组的核心功能在于提供高带宽、低延迟的数据存取服务。其运行速率为800 MT/s(百万次传输/秒),在64位数据总线宽度下,可提供高达6.4 GB/s的理论峰值带宽,有效缓解了系统在处理大量数据时的带宽瓶颈。4位预取架构是DDR2 SDRAM的关键技术,它使得内部核心运行频率仅为外部数据传输频率的四分之一,在提升数据传输率的同时,优化了功耗与信号完整性。此外,模组支持片上终结(ODT)功能,这有助于简化主板设计,改善信号质量,特别是在多模组配置的系统中能显著减少信号反射。

在接口与电气参数方面,该模组工作电压为标准的1.8V,相较于前代DDR内存降低了功耗与发热。其总存储容量为512MB,组织方式符合行业通用标准。时序参数经过严格测试,以保证在标称速度下的稳定运行。对于需要可靠供应链与本地化技术支持的客户,可以通过美光中国代理获取该产品及相关服务。该模组的物理和电气特性使其能够无缝集成到支持DDR2-800规格的系统中。

MT8HTF6464AY-800D1主要面向需要可靠内存扩展的企业级与专业应用场景。它适用于刀片式服务器、网络存储设备(NAS)、工业控制计算机以及金融交易终端等对系统稳定性和数据吞吐量有严格要求的领域。在这些场景中,该模组能够为操作系统、虚拟化环境、数据库以及关键应用程序提供稳定的内存资源,保障业务连续性与处理效率。其工业级的设计考量也使其能够适应相对严苛的连续运行环境。

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