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MT8HTF6464HDY-667D3

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MT8HTF6464HDY-667D3技术参数详情:

MT8HTF6464HDY-667D3是一款由美光科技(Micron Technology)设计和生产的高性能DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用标准的200针小型双列直插内存模块(200-SODIMM)封装形式,其物理尺寸和引脚定义严格遵循JEDEC规范,确保了与主流笔记本、嵌入式系统及小型化计算平台的物理兼容性。其核心基于先进的DDR2架构,通过4倍预取(4n-prefetch)技术,在核心时钟频率相对较低的情况下,实现了较高的数据传输速率。

该模块的数据传输速率达到667MT/s(每秒百万次传输),对应的时钟频率为333MHz。在功能层面,它支持差分时钟输入(CK和/CK)以提高信号完整性,并集成了片内终结(ODT)功能,可以有效抑制信号在传输线上的反射,简化主板设计并提升信号质量。其工作电压为1.8V,相比前代DDR内存显著降低了功耗,这对于追求能效的移动和嵌入式应用至关重要。模块内部由多颗高速DRAM芯片组成,通过精密的内部寻址与刷新逻辑,共同构成了总容量为512MB的可靠存储空间。

在接口与关键参数方面,该模块采用双边触点设计,支持SSTL_18(1.8V Stub Series Terminated Logic)电平标准。其时序参数,如CAS延迟(CL)、行地址到列地址延迟(tRCD)和行预充电时间(tRP),均经过优化以匹配667MT/s的速度等级,从而在提供高带宽的同时保证稳定的数据访问。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的美光代理商获取原装正品,并获得相应的技术支持和供货保障。

得益于其紧凑的尺寸、适中的容量和平衡的性能功耗比,MT8HTF6464HDY-667D3非常适用于对空间和能效有严格要求的场景。典型应用包括商业及消费类笔记本电脑的内存升级、工业控制计算机、瘦客户机、网络通信设备(如路由器、交换机)以及各种嵌入式系统。它为这些设备提供了成本效益高且可靠的内存解决方案,能够满足操作系统、应用程序和数据缓存的运行需求,是构建稳定、高效计算平台的基础组件之一。

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