Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT8VDDT6464AG-40BF3是一款由Micron Technology（美光科技）设计生产的DDR SDRAM内存模块，采用标准的184针双列直插内存模块（184-DIMM）封装形式。该模块的核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术，其内部由多颗高速DRAM芯片并行组成，通过精密的地址/命令解码与控制逻辑，在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据传输，从而在相同的物理时钟频率下实现倍增的有效数据带宽。模块内部集成了终结电阻与串行存在检测EEPROM，前者用于优化信号完整性，后者则存储了模块的规格、时序与制造商信息，便于系统自动识别与配置。
该模块具备512MB的总存储容量，运行速度为400MT/s（百万次传输/秒）。其高数据传输率得益于DDR技术的核心机制，即每个时钟周期完成两次数据操作。模块的电气接口遵循JEDEC标准DDR SDRAM规范，工作电压为2.5V，提供了稳定的兼容性与可靠性。其参数配置，包括CAS延迟、行预充电时间等关键时序，均经过优化以匹配400MT/s的数据速率，确保在高速运行下数据访问的准确性与稳定性。对于需要可靠供应链与技术支持的用户，可以通过美光授权代理获取此正品元件及相关服务。
在功能实现上，该模块支持突发传输模式，能够高效地处理连续地址的数据块读写请求，显著提升大数据量存取效率。其设计充分考虑了系统内存子系统的需求，适用于需要中等容量、标准速率内存解决方案的各类计算平台。其标准DIMM外形尺寸与广泛遵循的接口协议，使其能够无缝集成到相应的主板插槽中。
基于其技术规格，MT8VDDT6464AG-40BF3主要面向商业及工业级计算应用场景。它典型应用于特定世代的台式电脑、工作站、服务器（尤其是需要标准DDR内存的入门级或旧系统维护）、网络通信设备以及一些嵌入式控制系统。这些场景通常对内存的稳定性、兼容性以及成本有明确要求，该模块提供的512MB容量与400MT/s速率能够满足此类系统对程序运行、数据缓存及操作系统支持的基础内存需求，是构建或升级相应平台时一个经典型号的选择。
