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MT8VDDT6464AY-335DB

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MT8VDDT6464AY-335DB技术参数详情:

MT8VDDT6464AY-335DB是美光科技(Micron Technology)推出的一款标准DDR SDRAM内存模块。该模块采用经典的184针双列直插式(DIMM)封装,为系统提供了一个容量为512MB的、高性价比的同步动态随机存取存储器解决方案。其核心基于双倍数据速率(DDR)架构,在时钟信号的上升沿和下降沿均可传输数据,从而在相同的时钟频率下实现了比传统SDRAM高一倍的数据带宽,有效提升了内存子系统的吞吐效率。

该模块的数据传输速率达到333MT/s(百万次传输每秒),对应的工作时钟频率为166MHz。这一速度等级在当时的主流商用和工业计算平台中提供了良好的性能平衡。模块内部由多颗美光原厂DDR SDRAM芯片组成,通过精密的PCB布线和严格的信号完整性设计,确保了在标准工作电压下(通常为2.5V)的稳定运行和数据可靠性。其设计严格遵循JEDEC标准规范,保证了与支持DDR内存和184针DIMM插槽的主板或系统平台的广泛兼容性,简化了系统集成与升级过程。

在接口与电气参数方面,该模块采用标准的184针接口定义,支持串行存在检测(SPD)功能,系统启动时可以自动读取模块的配置信息,实现即插即用。其工作温度范围、时序参数(如CL值)和刷新机制均符合工业标准,能够满足持续运行环境下的数据保持要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过美光中国代理获取正品货源及相关技术资料。

MT8VDDT6464AY-335DB主要面向对成本敏感且需要稳定内存扩展的应用场景。它常见于二十世纪初期至中期的台式电脑、入门级工作站、工业控制计算机以及一些专用的网络设备和通信终端中。在这些领域,该模块以其成熟的工艺、可靠的性能和标准化的接口,为系统提供了基础而关键的内存容量支持,适用于办公自动化、数据采集、嵌入式控制等多种环境。

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