Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT8VDDT6464AY-40BF3是一款由Micron Technology（美光科技）设计生产的DDR SDRAM内存模块。该器件采用双倍数据速率同步动态随机存取存储器架构，其核心设计基于184针双列直插内存模块标准外形。模块内部由多颗高速DDR SDRAM芯片在PCB上集成构成，通过精密的信号完整性与电源完整性设计，确保在400MT/s的数据传输速率下稳定工作，为系统提供高带宽、低延迟的内存访问能力。
该模块的存储容量为512MB，通过双倍数据速率技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，有效将数据传输速率提升一倍。其工作电压符合DDR1标准，在提供可观性能的同时，也兼顾了功耗控制。模块支持突发传输模式，能够高效地处理连续地址的数据读写请求，减少命令开销，提升内存控制器的效率。其内部具备预取架构与可编程的CAS延迟、RAS到CAS延迟以及预充电时间，允许系统根据性能需求进行精细调优。
在接口与关键参数方面，MT8VDDT6464AY-40BF3采用标准的184-DIMM封装，金手指触点布局符合JEDEC规范，确保了与主流台式机、工作站和服务器主板的物理与电气兼容性。其标称速度为400MT/s，对应的时钟频率为200MHz，可提供高达3.2GB/s的理论峰值带宽。该模块的时序参数、工作电压范围及电气特性均经过严格测试，以保证在广泛的温度与工作条件下保持可靠性和一致性。对于需要稳定供应链与正品保证的客户，可以通过美光授权代理渠道进行采购。
该内存模块主要面向需要稳定内存扩展的商用计算平台。其典型应用场景包括企业级台式电脑、入门级服务器、工业控制计算机以及特定型号的网络通信设备。在这些领域，它能够为操作系统、应用程序和数据处理提供必要的运行内存，支持多任务处理、数据库操作及中等负载的虚拟化环境。其标准化的DIMM接口和经过验证的可靠性，使其成为老旧系统升级或特定平台备件替换的常用选择。
