Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT8VDDT6464AY-40BF4是一款由美光科技（Micron Technology）设计生产的DDR SDRAM内存模块，采用标准的184针双列直插内存模块（184-DIMM）封装。该模块内部由多颗高速DDR SDRAM芯片组成，构成一个总容量为512MB的存储单元。其核心架构基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器技术，在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据传输，从而在相同的物理时钟频率下实现了双倍于传统SDRAM的数据带宽，有效提升了系统内存子系统的吞吐效率。
该模块的数据传输速率高达400MT/s，对应标准DDR-400规格，能够满足对内存带宽有较高要求的计算环境。其工作电压为标准的2.5V，在提供高性能的同时，也兼顾了功耗控制。模块内置的串行存在检测（SPD）芯片，存储了厂商预置的时序、容量与电压参数，支持系统启动时自动识别与配置，确保了与主流主板平台的即插即用兼容性。对于需要稳定可靠内存解决方案的客户，通过正规的Micron代理商进行采购，是获得原厂品质保障和技术支持的重要途径。
在接口与电气参数方面，该184-DIMM模块严格遵循JEDEC制定的DDR SDRAM标准规范。其接口采用并行数据传输方式，数据位宽为64位，与当时主流处理器的外部数据总线宽度相匹配。模块的时序参数，如CAS延迟、行地址到列地址延迟等，均按照DDR-400的行业标准进行优化设定，以在400MT/s的速率下实现稳定的读写操作。其物理尺寸和引脚定义符合DIMM标准，适用于配备相应184针DDR内存插槽的各类计算平台。
基于其512MB容量与400MT/s的速率特性，MT8VDDT6464AY-40BF4主要面向特定时期的商用台式电脑、入门级工作站以及部分工业控制计算机的内存升级与扩展应用。它适用于运行对内存容量和速度有基础要求的办公软件、早期图形处理应用及嵌入式系统。该模块为那些基于DDR一代内存架构的老旧系统提供了可靠的内存焕新选择，有助于延长相关设备的技术生命周期，保障其稳定运行。
