MT8VDDT6464HDY-335J1

MT8VDDT6464HDY-335J1是一款由美光科技（Micron Technology）设计制造的512MB容量DDR SDRAM内存模块，采用200针小型双列直插内存模块（200-SODIMM）封装。该模块基于双倍数据速率同步动态随机存取存储器核心架构，内部由高速CMOS工艺制造的存储单元阵列构成，通过精密的行列地址解码、灵敏放大器以及预取缓冲设计，实现了在时钟信号上升沿与下降沿均可进行数据传输，从而在相同的物理时钟频率下，有效数据带宽达到传统SDRAM的两倍。

该器件的数据传输速率达到333MT/s，对应时钟频率为166MHz。其工作电压符合DDR标准，在提供高性能的同时，也兼顾了功耗控制。模块内部集成了终端电阻与串行存在检测（SPD）EEPROM，后者存储了模块的时序、容量、制造商等关键配置参数，便于系统启动时自动识别与优化配置。严格的时序控制，如CAS延迟、行预充电时间与行有效至列有效延迟等参数，均经过精确调校，确保了在高速运行下的数据完整性与系统稳定性。

接口方面，它采用200针SODIMM标准接口，电气与物理规格严格遵循JEDEC规范，确保了与主流嵌入式及紧凑型计算平台的广泛兼容性。其工作温度范围、信号电平与驱动能力均针对工业与商业应用环境进行了优化。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过授权的Micron代理商获取该产品，并获得原厂规格书、合规性认证文件以及应用设计指导。

凭借其紧凑的尺寸、标准化的接口与可靠的性能，MT8VDDT6464HDY-335J1主要面向空间受限但对内存性能有明确要求的嵌入式系统、工业控制计算机、网络通信设备、便携式测试仪器以及某些升级换代的商用笔记本电脑。它能够为这些应用场景中的中央处理器提供高效的数据缓冲与交换空间，是构建稳定、高效计算平台的关键存储组件之一。

• Micron美光半导体完整型号: MT8VDDT6464HDY-335J1
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 功能总体简述: MOD DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
• 系列: -
• 存储器类型: DDR SDRAM
• 存储容量: 512MB
• 速度: 333MT/s
• 封装/外壳: 200-SODIMM
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