Micron美光中国代理商联接渠道
强大的美光半导体芯片现货交付能力
MT8VDDT6464HY-265D1是一款由美光科技（Micron Technology）设计生产的DDR SDRAM内存模块，采用200针小型双列直插内存模块（200-SODIMM）封装形式。该模块的核心架构基于成熟的DDR1技术，内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成，通过精密的电路布局与信号完整性设计，实现了在紧凑的物理空间内集成512MB的存储容量。其数据传输速率达到266MT/s，能够有效满足早期至中期移动计算平台对内存带宽与容量的基础需求。
该模块的功能特点体现在其同步操作与双倍数据速率传输机制上。在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据传输，从而在相同的物理时钟频率下实现了理论双倍的数据吞吐量。模块内部集成了地址解码、刷新控制与数据缓冲等关键电路，支持突发传输模式以提升连续数据访问的效率。工作电压为标准DDR1的2.5V，在提供稳定性能的同时，也兼顾了功耗的平衡。其设计严格遵循JEDEC标准，确保了与对应平台插槽的电气及机械兼容性。
在接口与关键参数方面，MT8VDDT6464HY-265D1采用200针SODIMM接口，这是专为笔记本电脑、紧凑型嵌入式系统等空间受限设备设计的标准接口。其266MT/s的数据传输速率对应着大约2.1GB/s的峰值带宽，时序参数（如CL、tRCD、tRP等）经过优化，以在标准速率下实现可靠的读写操作。模块的物理尺寸小巧，非常适合集成到对空间有严格限制的终端产品中。对于需要可靠货源与技术支持的用户，可以通过美光一级代理获取此型号产品及相关服务。
该内存模块的典型应用场景主要集中于2000年代中后期的移动计算与嵌入式领域。它常见于当时的笔记本电脑、一体机、工业控制计算机、瘦客户机以及某些专用的网络通信设备中，作为系统的主内存，负责为CPU提供程序运行与数据处理的临时存储空间。其512MB的容量与266MT/s的速度，在当时能够很好地支持Windows XP等主流操作系统及相应的商业、办公及轻量级多媒体应用，是特定时期移动平台硬件配置中的重要组成部分。
