MT8VDDT6464HY-40BD1

MT8VDDT6464HY-40BD1是美光科技（Micron Technology）推出的一款高性能DDR SDRAM内存模组。该模组采用双倍数据速率（DDR）同步动态随机存取存储器架构，其核心设计基于先进的CMOS工艺，内部由多个高速存储阵列和精密的时序控制电路构成。数据在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行传输，从而在相同的物理时钟频率下实现了双倍的数据吞吐率，有效提升了内存子系统的整体带宽和响应效率。

该模组具备512MB的存储容量，通过200针的小型双列直插内存模块（200-SODIMM）封装形式提供。其运行速度达到400MT/s（百万次传输/秒），对应有效数据传输频率为200MHz。这种高带宽特性使其能够满足对数据交换速率有严格要求的应用环境。模组内部集成了片上终结（ODT）和可编程CAS延迟等高级功能，有助于优化信号完整性，减少反射和串扰，从而在高速运行下保持稳定的电气性能。其工作电压符合DDR标准，在提供高性能的同时也兼顾了功耗控制。

在接口与参数方面，MT8VDDT6464HY-40BD1遵循标准的DDR SODIMM接口规范，确保了与主流笔记本、嵌入式主板和紧凑型计算平台的物理与电气兼容性。其时序参数经过严格测试和分级，保证了在工业级温度范围内的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过美光中国代理获取该产品的供货、技术资料以及定制化解决方案服务。

这款内存模组主要面向空间受限但对性能有较高要求的嵌入式系统、工业控制计算机、高端网络通信设备以及升级换代的老式笔记本电脑等应用场景。其紧凑的SODIMM外形因子使其非常适合集成到一体机、瘦客户机、POS终端及各种定制化的硬件平台中，为系统提供可靠且高效的数据缓存和程序运行空间，是构建稳定、高效计算核心的基础组件之一。

• Micron美光半导体完整型号: MT8VDDT6464HY-40BD1
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 功能总体简述: MODULE SDRAM DDR 512MB 200SODIMM
• 系列: -
• 存储器类型: DDR SDRAM
• 存储容量: 512MB
• 速度: 400MT/s
• 封装/外壳: 200-SODIMM
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