MT8VDDT6464HY-40BF2

MT8VDDT6464HY-40BF2是美光科技（Micron Technology）推出的一款高性能DDR SDRAM内存模组。该器件采用双倍数据速率同步动态随机存取存储器架构，其核心设计基于先进的半导体工艺，内部由多个高速存储单元阵列构成，并集成了精密的时序控制与地址解码逻辑。该架构确保了在时钟信号的上升沿和下降沿都能进行数据传输，从而在相同的物理时钟频率下实现了双倍的数据吞吐量，有效提升了内存子系统的整体带宽和响应效率。

该模组具备512MB的总存储容量，组织方式符合行业标准规范，能够满足中等负载计算环境对内存空间的需求。其标称运行速度达到400MT/s（百万次传输/秒），对应有效数据传输速率显著提升，能够有效减少处理器等待数据的时间，缓解系统瓶颈。稳定的时序特性和经过验证的信号完整性设计，使其能够在要求连续、高速数据读写的应用场景中保持可靠的性能输出。

在物理接口方面，该产品采用标准的200针小外形双列直插内存模块（200-SODIMM）封装。这种紧凑型封装形式专为空间受限的设备设计，例如笔记本电脑、嵌入式系统、工业控制计算机以及小型化网络设备等。其电气接口完全遵循DDR SDRAM规范，确保了与主流平台芯片组的广泛兼容性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的Micron代理商获取该产品及其完整的技术支持。

基于其性能与形态特点，MT8VDDT6464HY-40BF2非常适合应用于对尺寸、功耗和可靠性有较高要求的领域。典型应用场景包括商业及工业级笔记本电脑的内存升级、嵌入式工控主板、电信接入设备、存储服务器中的缓存模块以及各类需要稳定运行于宽温或长时间不间断工作环境下的计算终端。它为这些系统提供了平衡的成本、性能与可靠性解决方案。

• Micron美光半导体完整型号: MT8VDDT6464HY-40BF2
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 功能总体简述: MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
• 系列: -
• 存储器类型: DDR SDRAM
• 存储容量: 512MB
• 速度: 400MT/s
• 封装/外壳: 200-SODIMM
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