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MT9HTF12872AZ-667H1

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MT9HTF12872AZ-667H1技术参数详情:

MT9HTF12872AZ-667H1是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能、高可靠性的DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用标准的240针无缓冲双列直插内存模块(240-UDIMM)封装,其核心由多颗先进的DDR2 SDRAM芯片组成,通过精密的PCB板设计和内部总线互联,构成了一个总容量为1GB的存储单元。其架构支持双倍数据速率传输,在时钟信号的上升沿和下降沿均可进行数据读写操作,有效提升了数据传输带宽,满足了主流计算平台对内存子系统性能的严苛要求。

该模块的核心功能特性在于其667MT/s的数据传输速率,这一速率对应着PC2-5300的标准规范,能够提供高达5.3GB/s的理论峰值带宽。它采用了1.8V的工作电压,相比早期的DDR内存技术,在提升性能的同时显著降低了功耗与发热。模块内置了片上终结(ODT)和可编程的CAS延迟、预充电时间等时序参数,增强了信号完整性并提供了灵活的系统优化空间。对于需要稳定、大批量采购的客户,通过美光一级代理可以获得原厂正品保障和全面的技术支持。

在接口与关键参数方面,MT9HTF12872AZ-667H1严格遵循JEDEC制定的DDR2标准。其240针的UDIMM接口兼容主流台式机和工作站主板的内存插槽。除了1GB的存储容量和667MT/s的速度外,其内部通常组织为64M x 72位或等效结构,其中包含8位ECC校验位,为需要高数据完整性的应用提供了可选支持。模块的时序参数(如CL、tRCD、tRP)经过美光原厂严格测试和验证,确保在标称频率下稳定运行。

基于其平衡的性能、容量和可靠性,这款内存模块主要面向企业级台式工作站、入门级服务器、工业控制计算机以及高性能网络通信设备等应用场景。它能够为这些系统的多任务处理、大数据量缓存和稳定运行提供坚实的内存基础,尤其适合用于对成本敏感且需要长期稳定运行的商用和工业计算环境。

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