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MT9HTF12872AZ-80EM1

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MT9HTF12872AZ-80EM1技术参数详情:

MT9HTF12872AZ-80EM1是美光科技(Micron Technology)推出的一款高性能、高密度的DDR2 SDRAM内存模组。该产品采用标准的240针无缓冲双列直插内存模块(240-pin Unbuffered DIMM)封装形式,其核心架构基于成熟的DDR2同步动态随机存取存储器技术,内部由多颗高速DRAM芯片在PCB上以特定拓扑结构排列组成,通过精密的信号完整性设计和电源管理方案,确保在高速数据传输下的稳定性和可靠性。

该模组集成了高达1GB(1024MB)的存储容量,为需要大容量内存缓冲的系统提供了有力的硬件支持。其工作频率为800MHz(对应数据传输速率为PC2-6400),在双倍数据速率(DDR)技术的加持下,有效实现了每秒高达6.4GB的理论峰值带宽。这一特性使其能够显著提升系统的数据吞吐能力,有效缓解处理器与内存之间的带宽瓶颈。其设计严格遵循JEDEC标准规范,确保了与主流服务器、工作站及高性能计算平台的广泛兼容性。对于需要可靠供应链的客户,通过正规的美光代理商进行采购是保障产品正品与获得完整技术支持的重要途径。

在接口与电气参数方面,该模组采用1.8V标准工作电压,相较于早期的DDR内存,有效降低了功耗与发热。它支持片上终结(ODT)功能,有助于优化信号质量,减少主板布线的复杂性,并提升系统在高速运行时的稳定性。模组内部通常包含串行存在检测(SPD)EEPROM,用于存储其时序、容量、制造商等信息,便于系统BIOS在上电时自动识别并配置最优参数。其工作温度范围符合商业级或工业级标准,能够适应多种环境下的稳定运行需求。

基于其大容量、高带宽和标准化的设计,MT9HTF12872AZ-80EM1主要面向企业级应用与高性能计算领域。它非常适合用作传统服务器、工作站、网络通信设备以及工业控制计算机的主内存扩展,为数据库处理、虚拟化应用、科学运算和图形渲染等任务提供必需的高速数据交换空间。在需要对旧有DDR2平台进行升级或维护的场景中,此款高可靠性模组是延续系统生命周期、提升整体性能的经济且有效的解决方案。

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