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MT9HTF6472AY-40EB3

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MT9HTF6472AY-40EB3技术参数详情:

作为美光科技(Micron Technology)推出的高性能内存解决方案,MT9HTF6472AY-40EB3是一款采用标准240针双列直插内存模块(DIMM)封装的DDR2 SDRAM模组。其核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高速同步动态随机存取存储器芯片组成,通过精密的PCB布线设计,确保在400MT/s的数据传输速率下,信号完整性与时序稳定性达到最优。该模组严格遵循JEDEC标准规范,其内部Bank管理与预取架构有效提升了数据吞吐效率,为系统提供了可靠的大容量、高带宽内存支持。

该模组具备512MB的存储容量,能够满足中等负荷计算平台对内存空间的基本需求。400MT/s的运行速度对应着DDR2-800规格,提供了相较于早期DDR标准显著提升的带宽性能。其工作电压典型值为1.8V,在提升性能的同时,也注重了能效表现,有助于降低系统整体功耗与发热。模块内置的片上终结(ODT)与 posted CAS(Additive Latency)等功能,优化了命令与数据总线的信号质量,减少了反射干扰,从而保障了在高速运行下的系统稳定性与兼容性。对于需要可靠供应链的客户,通过正规的美光授权代理进行采购,是确保获得原装正品与完整技术支持的重要途径。

在接口与电气参数方面,MT9HTF6472AY-40EB3采用240-pin DIMM接口,完全兼容支持DDR2内存的台式机及服务器主板插槽。其时序参数(如CL、tRCD、tRP等)严格遵循行业标准,确保了与主流芯片组和CPU平台的广泛兼容性。模块的物理尺寸符合标准DIMM规范,便于集成到各类系统机箱中。其工作温度范围通常设计为商业级或工业级标准,能够适应常见的办公与一般工业环境。

基于其性能与规格,MT9HTF6472AY-40EB3主要面向需要稳定可靠内存扩展的应用场景。它适用于企业级台式工作站、入门级服务器、网络存储设备(NAS)、工业控制计算机以及特定的嵌入式系统。在这些领域,该模组能够为操作系统、应用程序和缓存数据提供充足的运行空间,保障多任务处理与数据读写的流畅性,是构建经济高效、性能稳定的计算平台的关键组件之一。

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