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MT9HTF6472KY-40EB3

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MT9HTF6472KY-40EB3技术参数详情:

MT9HTF6472KY-40EB3是一款由美光科技(Micron Technology)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块,采用标准的244针双列直插内存模块(DIMM)封装形式。该模块的核心架构基于成熟的DDR2技术,内部由多颗高密度存储芯片并行组成,通过先进的信号同步与预取架构,实现了在双倍数据速率下进行数据传输。其内部存储单元组织经过优化,能够在保持高带宽的同时,有效管理访问延迟,确保数据流的稳定与高效。

该模块具备512MB的总存储容量,为系统提供了可观的内存资源。其运行速度达到400MT/s(百万次传输/秒),这意味着数据总线在每个时钟周期内能完成两次数据传输,显著提升了与处理器或其他控制器之间的数据交换带宽。这种性能使其能够有效满足对内存带宽有较高要求的应用,减少因数据等待造成的系统瓶颈。模块严格遵循JEDEC标准的DDR2规范,确保了与主流平台良好的兼容性与可靠性。

在接口与关键参数方面,MT9HTF6472KY-40EB3采用1.8V的工作电压,相较于早期的DDR标准,有效降低了功耗与发热。其400MT/s的数据速率对应着特定的时钟频率与时序参数,这些参数在出厂时已精确设定并经过测试,保障了模块在标称速度下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应的客户,可以通过美光授权代理渠道获取此型号产品,以确保其正品来源与技术支持。模块的244-DIMM封装是服务器、工作站及高端台式机平台的常见规格,便于系统集成与升级。

MT9HTF6472KY-40EB3主要面向需要平衡性能、容量与成本的商用计算领域。它适用于企业级服务器、网络存储设备、高性能工作站以及某些需要较大内存缓冲的工业控制系统中。在这些应用场景里,该模块能够为数据库处理、虚拟化环境、内容缓存及复杂的多任务运算提供必要的内存支持,是构建稳定、高效计算基础设施的可靠组件之一。

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