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MT9HTF6472KY-667D2

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MT9HTF6472KY-667D2技术参数详情:

MT9HTF6472KY-667D2是一款由Micron Technology(美光科技)设计生产的DDR2 SDRAM内存模块。该模块采用标准的244针双列直插内存模块(DIMM)封装形式,内部集成了高密度、高性能的DDR2存储芯片,构成了一个总容量为512MB的完整内存解决方案。其核心基于先进的DDR2架构,通过4n预取技术实现内核频率与I/O频率的有效解耦,在保持较低内核工作频率的同时,通过双倍数据速率接口实现高达667MT/s的数据传输速率,显著提升了内存带宽并优化了系统整体性能。

该模块具备一系列增强系统可靠性与信号完整性的功能特点。它集成了片内终结电阻(ODT),可以有效减少信号在传输线上的反射,简化主板设计并提升信号质量。同时,其工作电压降低至1.8V,相比前代DDR内存显著降低了功耗与发热,符合现代电子设备对能效的严格要求。模块支持写均衡(Write Leveling)等高级功能,以补偿在高速运行下由飞行时间差异引起的时钟与数据信号偏移,确保在667MT/s速率下的稳定数据传输。对于需要可靠供应链的客户,可以通过授权的Micron代理商获取此正品元件,确保产品质量与供货稳定。

在接口与关键参数方面,该模块严格遵循JEDEC DDR2标准规范。其数据传输速率对应PC2-5300等级,峰值带宽可达约5.3GB/s。它采用双边触点设计,共有244个引脚,定义了包括地址、数据、控制命令和电源在内的完整信号接口。时序参数如CAS延迟、行预充电时间等均经过优化,以在667MT/s的速度下实现性能与稳定性的平衡。模块内置的串行存在检测(SPD)EEPROM存储了其规格、时序及制造商信息,支持系统BIOS自动识别并配置最优运行参数,简化了系统集成与配置过程。

凭借其稳定的性能、标准的封装与适中的容量,MT9HTF6472KY-667D2主要面向对成本与性能有均衡要求的嵌入式系统、工业控制计算机、网络通信设备、金融终端以及部分升级维护中的商用台式机和工作站。它适用于那些需要可靠内存扩展、运行频率在667MT/s级别的应用场景,能够为系统提供高效的数据缓冲与存储支持,是构建稳定、高效计算平台的基础组件之一。

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